怀远氧化铟粉末回收之锑化铟的介绍

  锑化铟（InSb）晶体材料自发现伊始，基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性，成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来，由于其在红外探测领域的应用前景，更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视，技术发展迅速。

  目前，InSb晶体材料作为制备高性能中波红外探测器的首选材料，应用前景和商业需求巨大，基于InSb晶体材料的红外探测器的快速发展更是大大提升了红外系统的性能，促进了红外技术在军民领域的广泛应用。InSb晶体材料的性质，梳理了国内外各公司及研究机构关于InSb晶体材料的研究进展，以及其在红外探测领域的应用情况，对其发展前景和趋势进行了展望。

怀远氧化铟粉末回收之铟的显著特点

  （1）铟在岩浆岩中的主要载体是角闪石、黑云母等镁铁质矿物，且铟在角闪石与熔体之间的分配系数更高。因此，镁铁质矿物（尤其是角闪石）的结晶会削弱岩浆的铟矿化潜力；  

  （2）铟在流体中主要配体是Cl-，酸性、高氯的流体最有利于铟的搬运。流体中铜、镉、铁的活度对铟在闪锌矿中的富集有重要控制作用，铜和锌的相对含量制约了独立铟矿物（如硫铟铜矿）的形成；  

  （3）闪锌矿是最主要的载铟矿物，In3+ + (Cu+, Ag+) ↔ 2Zn2+是铟进入闪锌矿的主要方式，但后期的构造/变质事件、流体交代、矿物的分解、Cu+In的扩散效应以及表生的风化/氧化作用，会导致铟的活化和再富集；  

  （4）锡铟同步富集是富铟矿床的显著特点，导致这一现象的根本原因可能是由于二者在表生环境中的活动性弱，易残留在富黏土的沉积岩中，这样的源岩再发生熔融便为Sn-In矿化提供了物质基础。   

  此外，新近发现在一些贫锡岩浆热液矿床中铟也能够超常富集，其机理尚不清楚。

怀远氧化铟粉末回收之氧化铟锡的缘由与目的   

  氧化铟锡因具有可见光高穿透率、红外线反射率大及紫外线吸收率强，内含有很高的自由载子浓度，导电性质良好，为一良好之光电薄膜目前氧化铟锡薄膜的制作和被应用在作为透明电极(尤以LCD最为广泛采用)、抗反射层、光电子组件、热反射镜、除霜器、抗静电膜及太阳能收集器等方面已备受研究。   

  薄膜内应力可能来自薄膜沈积过程产生之缺陷、微结构或薄膜和基材间彼此不尽相同的晶格参数而在界面所造成的应力等因素影响。本实验以反应磁磁溅镀法低温溅镀氧化铟锡薄膜于压克力基材上，藉由控制氧气流量和膜厚，探讨其对附着性质之影响。

怀远氧化铟粉末回收之铟与异质结的新用途 

  异质结电池的制备分为4个步骤，清洗制绒、非晶硅沉积、TCO 沉积和丝网印刷。

  在 TCO 沉积这一环节中，目前主要采用RPD（反应等离子体沉积）和 PVD（物理化学气相沉积）两种方法，其中就需要用到氧化铟掺钨（IWO）或氧化铟锡（ITO）作为溅射靶材。氧化铟锡中氧化铟和氧化锡的比例通常为 9:1。    

  铟的全球需求量约1700吨/年。  HJT产业的爆发会导致铟需求的大幅增长，并有可能由此导致铟价的波动。

怀远氧化铟粉末回收之铟的提取             

  怀远是铟的故乡，铟生产大国，怀远省是怀远铟资源开发重点地区与生产大省。一般铟的提取过程可分为四阶段：一是在主要重有色金属冶炼过程中的富集，作为综合利用副产品回收；二是制取铟富集物；三是通过种种化学冶金过程制取粗铟；四是电解粗铟获得4N(99.99%)的精铟。目前全球提取铟的主要工艺为萃取-电解法，其原则工艺流程：含铟原料→富集（铟含量宜≥0.002%）→浸出→净化→萃取→反萃取→锌（铝）置换→海绵铟→电解精炼→精铟。      

  目前铟的提取-半成品加工-使用-回收再生已成为一个非常有效的循环经济，完全成熟，2006年全球再生铟产量就已超过原生铟的，前者75%以上是用新废料回收的，因为全球2016年铟的78%用于ITO靶村制备。制备靶材时ITO的利用率很低，仅20%~30%，其余的即是提取的新废料，含39%铟~55%铟，2.25%锡~3.15%锡，以及微量铜、硅、铁等杂质。         

  回收再生铟的废料有新的与旧的，新者是指生产靶材时的工艺废料与生产ITO导电膜的靶材余料，旧废料是指使用寿命到期的含铟电子产品，如液晶屏等，但新废料占主导地位，怀远已掌握成熟的废靶回收技术，但ITO靶材生产技术与工业发达国家的相比还有较大差距。